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Cr2AlC中空位相关属性及电子结构的第一性原理研究

  • 【获取途径】 超星期刊网
  • 【作       者】 彭飞
  • 【作者单位】 上海电子信息职业技术学院电子工程系
  • 【出       处】西北师范大学学报(自然科学版)
  • 【年       份】2016
  • 【卷       号】第4期
  • 【页       码】27-31
  • 【   ISSN   】1001-988X
  • 【  关键词  】 Cr2AlC 第一性原理 空位 形成能 共价键
  • 【  分类号  】TL99
  • 【摘       要】 通过第一性原理研究了Cr2AlC中空位对其结构和电子性质的影响.在Cr2AlC中,Cr,Al和C空位形成能分别为1.15eV(Cr-poor)、-1.93eV(Cr-rich),2.02eV(Al-poor)、-4.38eV(Al-rich)和1.14eV(C-rich)、-3.05eV(C-poor).计算结果表明,Al空位的形成能相对较大,这意味着在Cr2AlC中,Al空位最不容易形成;在一定温度下,Cr2AlC中Al空位的浓度较低;通过态密度的研究发现,在Cr2AlC中,Cr-C共价键和C...
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  • 【基       金】国家自然科学基金
  • 【文献类型】 期刊
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