二维金光栅增强AlGaN/GaN量子阱中红外探测器的垂直光耦合

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【作者】彭飞
【作者单位】上海电子信息职业技术学院电子工程系
【出处】量子电子学报
【年份】2017
【卷号】第34卷
【期号】第6期
【页码】742-746
【 ISSN 】1007-5461
【关键词】光电子学二维金光栅有限元法表面等离激元 AlGaN/GaN量子阱中红外光电探测器
【分类号】TN215
【摘要】利用对入射光源偏振性不敏感的二维金光栅结构来增强AlGaN/GaN量子阱中红外光电探测器的垂直光耦合。采用有限元法（FEM）计算了探测器结构中的电场分布和能量流动,发现采用二维金光栅时量子阱区有效电场强度比采用Si3N4光栅时高出2个数量级,这主要源于金光栅与AlGaN界面处激发形成的表面等离激元（SPP）,对光能流动方向、光场振动方向产生了强烈的改变。无论光源的偏振性如何,当垂直入射电磁波波长为4.7μm,电场强度E为1 V/m时,量子阱区的有效|Ez|2达到了0.7（V/m）2,为实现AlG...
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【基金】国家自然科学基金;江苏省高校自然科学基金
【文献类型】期刊